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SiC外延爐

SiC外延爐

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中國電子科技集團公司第四十八研究所

湖南

產品規格型號
參考報價:

面議

品牌:

電子科技

型號:

SiC外延爐

關注度:

584

產品介紹

      1.晶片尺寸:4”~6”;
  2.**溫度:1700℃;
  3.控溫精度:±1℃;
  4.極限真空:優于3Pa;
  5.壓力穩定性:100~1000mbar;
  6.反應室漏氣率:1E-10Pa·m3/S
  7.工藝氣體:SiH4、C3H8、N2、TMAl ;
  8.載氣:Ar、H2 。

      1.內置式電磁感應加熱,升降溫速度快
  2.基片氣浮行星旋轉運動,溫度、外延膜均勻性好
  3.三層水平層流送氣,氣流均勻性好
  4.噴淋頭水冷,預反應小
  5.手套箱裝取片 ,反應室內潔凈度高

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