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霍爾效應測量系統

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北京三友鼎盛科技有限公司

北京

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產品介紹

產品簡介 : 精密霍爾效應測量系統,廣泛應用于半導體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究;可對多種重要物理參量如:電阻率、霍爾系數、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線等測量和分析;可測試材料: 半導體材料:包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,磚石鐵,氧體材料; 低阻材料:包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料 高阻材料:包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器

技術參數:

電流源:

測量范圍: 1nA - 10 mA

輸出電壓: +/- 10V (+/-20V)

輸出電阻: typical 1013 Ohms

電流分辨率: 25 pA

電壓測量:

測量范圍: 10 mV - 10V(自動量程選擇)

分辨率 : <500nV

輸入電阻: > 1013 Ohms

磁場范圍:0.45T~2T(牛津磁體);

電阻測量范圍: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm

電阻率測量范圍: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm

載流子濃度范圍: 107 cm-3 - 1021 cm-3

主要特點:

電阻率Rho測量;

霍爾系數RH測量;

V-I曲線測量;

VH電壓測量;

載流子濃度測量;

載流子遷移率測量;

載流子形式測量(n or p);

磁電阻等;

獨有的非線性電壓補償功能;

磁場大小可調;

自動磁場校準;

低溫選件:77K;

Van der Pauw和橋式barshape測量;

產品咨詢

霍爾效應測量系統

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