氮化鎵單晶襯底

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

晶沐光電

型號(hào)：

氮化鎵單晶襯底

關(guān)注度：

352

產(chǎn)品介紹

介紹：氮化鎵（GaN）是氮和鎵的化合物，是一種III和V的直接能隙的半導(dǎo)體。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特。具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、高效率，適合高性能電子和光電子應(yīng)用。

應(yīng)用：用于高端激光芯片等；應(yīng)用于激光顯示技術(shù)，如家庭影院、商業(yè)投影、AR/VR設(shè)備、車載顯示等；用于5G通信基站、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)等高頻高功率場(chǎng)景。紫外探測(cè)器、高亮度LED、高效率功率轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電器等。

產(chǎn)品規(guī)格書

氮化鎵單晶襯底（2~4英寸）
直徑	50.8 mm	76.2mm	100mm
厚度	400μm	450μm	450μm
端面晶向	（0001） ± 0.2°Ga face
斜切角（C偏M）	0.5°C-plane off angle toward M-axis
斜切角（C偏A）	0.0°C-plane off angle toward A-axis
主定位邊晶向	M-plane (10-10) ± 2.0?
主定位邊長(zhǎng)度	16mm	22mm	32mm
次定位邊晶向	Ga face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0?
次定位邊長(zhǎng)度	8mm	11mm	18mm
正面狀態(tài)	≤ 0.3 nm(10μm ×10μm)
反面狀態(tài)	Polished; Etched
鐳刻碼面	Back side：N-Face
總厚度偏差TTV	≤15μm	≤25μm	≤30μm
彎曲度BOW	≤20μm	≤30μm	≤40μm
翹曲度WARP	≤30μm	≤45μm	≤60μm
邊緣去除	≤5 mm


電學(xué)參數(shù)	摻雜元素	電阻率	/
	Semi-Insulating (Carbon)	≥1E8 ohm-cm	/
	N-type (Silicon)	≤0.02 ohm-cm	/
	UID（Undoped）	≤0.2 ohm-cm	/

產(chǎn)品性能表

氮化鎵單晶襯底（2~4英寸）
晶體結(jié)構(gòu)	六方晶體
禁帶寬度(eV)	3.45eV
熔點(diǎn)（℃）	2400℃
莫氏硬度(mohs)	9.5
熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)	1.3W·cm^-1·℃^-1
熱膨脹系數(shù)(℃^-1)	α_a=5.6×10^-6 α_c=3.2×10^-6
晶格常數(shù)(nm)	a=0.3189 c=0.5185
電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）	900
擊穿電場(chǎng)(MV·cm^-1)	4.9
JFM指數(shù)（power）	790
BFM指數(shù)(SW)	910
BHFM指數(shù)(RF)	100

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產(chǎn)品性能表