粉體行業在線展覽
半導體切片機
面議
連強智能
半導體切片機
696
加工硅料規格:8英寸/12英寸
加工硅料長度:≤450mm
**線速度:30m/s
鋼線母線直徑:≥φ0.05mm
TTV:≤10μm (ADE7200)
Bow:≤±10μm (ADE7200)
Warp平均值:<12μm
成品率:≥97%
斷線率:≤1% (非設備因素除外)
設備外形尺寸:4750x1950x3000mm
設備額定總功率:160kW
設備自重:15.6t
"CTRTHK" "UMTR"
"CLASSNUM" "#" "MAX" "MIN" "MEAN" "DELTA" "MAX_DEV" "STD_DEV" "CV"Total 60 752.54 741.25 746.69 11.29 5.842 1.589 0.213
"BOW3P" "UMTR"
"CLASSNUM" "#" "MAX" "MIN" "MEAN" "DELTA" "MAX_DEV" "STD_DEV" "CV"Total 60 7.16 -0.75 2.34 7.91 4.817 2.082 88.868
"WARP3P" "UMTR"
"CLASSNUM" "#" "MAX" "MIN" "MEAN" "DELTA" "MAX_DEV" "STD_DEV" "CV" Total 60 15.92 6.79 9.70 9.13 6.226 1.635 16.861
"TTV" "UMTR"
"CLASSNUM" "#" "MAX" "MIN" "MEAN" "DELTA" "MAX_DEV" "STD_DEV" "CV"Total 60 9.07 2.43 4.66 6.64 4.405 1.852 39.715
1、張力傳感器控制精度為±0.5N控制精度更高;
2、輔助漿管**技術,主、副流量單獨可控 ;
3、低慣量輕質一體過輪,為總成結構更換方便 ;
4、系統采用德國進口西門子運動控制系統及電機 ;
5、硅片表面質量TTV、線痕、翹曲等指標控制優良 ;
6、滿足自動粘棒設備的晶托兼容,底面采用NTC形式 ;
7、設備專為半導體晶圓加工設計制造,非光伏改造機 ;
8、前端上料方式,操作方便,具備升級自動化上料條件 ;
9、張力臂重量及懸長小,排線角度接近90°利于排線控制 ;
10、垂直進給采用鑄件低入刀口切片TTV ;
11、收放線系統位于設備兩側,安裝在一體鑄造底座上,結構穩定 ;
12、主軸采用角接觸軸承及油氣潤滑結構,冷卻采用單獨水箱供水 ;
13、設備底座、主軸箱支座、排線、收放線支座均為一體鑄造結構。
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037