圖形化襯底PSS

圖形化襯底PSS/NPSS

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江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產品規格型號

參考報價：

面議

品牌：

晶沐光電

型號：

圖形化襯底PSS/NPSS

關注度：

294

產品介紹

介紹：化學式(α-Al2O3)，為六方晶格結構。化學性質非常穩定，不溶于水，耐強酸、強堿的腐蝕。莫氏硬度9級，熔點為2050℃，沸點3500℃，**工作溫度可達1900℃。透光性好，熱傳導性和電氣絕緣性，力學機械性能表現優秀，具有耐磨和抗劃傷的特點。

應用：PSS增強LED光提取效率，廣泛應用于普通照明、背光源及顯示領域；NPSS用于高端LED、激光器等精密光學和電子設備，進一步提升性能

產品規格書

圖形化PSS藍寶石襯底晶片（2~6英寸）
直徑	50.8mm	100mm	150mm
厚度	430μm	650μm	1000μm
表面晶向	C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1°
	C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1°
定位邊晶向	A-Plane（11-20） ± 1.0°
定位邊長度	16mm	30mm	47.5mm
正面狀態	Patterned
反面狀態	SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm
鐳刻碼面	Back side

圖形參數PSS	Shape Structure	Triangle Array
	Pattern Height	1.6~1.8μm
	Pattern Width	2.70~2.85μm
	Pattern distance	2.9~3.1μm
圖示PSS

納米壓印圖形化NPSS藍寶石襯底晶片（2~4英寸）
直徑	50.8mm		100mm
厚度	430μm	1000μm	650μm	1000μm
表面晶向	C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1°
表面晶向	C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1°
定位邊晶向	A-Plane（11-20） ± 1.0°
定位邊長度	16mm		30mm
正面狀態	Patterned
反面狀態	SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm
鐳刻碼面	Back side

圖形參數NPSS	Shape Structure	Hexagonal Array

	Pattern Type	V500	V600	V700
	Pattern Diameter	400-550nm	550-650nm	650-750nm
	Pattern Height	250-450nm	250-450nm	250-450nm
	Pattern Pitch	1000nm	1000nm	1000nm

	Pattern Type	V800	V900	∧700
	Pattern Diameter	750-850nm	850-950nm	600-800nm
	Pattern Height	350-550nm	350-550nm	350-700nm
	Pattern Pitch	1000nm	1000nm	1000nm
圖示NPSS

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