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NanoMaster SWC-4000型CMP后清洗機(jī)

直接聯(lián)系

微納(香港)科技有限公司

美國

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

1593

產(chǎn)品介紹

? 產(chǎn)品簡介SWC-4000型CMP后清洗機(jī)是美國NANO MASTER公司開發(fā)的一款科研級的高端清洗系統(tǒng),用于去除晶圓在CMP工藝后晶圓表面污染物、殘留物、或微塵顆粒等。該系統(tǒng)集成了美國NANO MASTER公司無損DI水兆聲清洗**技術(shù),配合四路的化學(xué)試劑清洗,PVA刷洗以及帶異丙醇的高速甩干等清洗模塊,對于單片清洗而言具有**的基底清洗能力,是科研CMP后清洗機(jī)的**儀器。

? 技術(shù)特色

•兼容4,6,8,12寸片晶圓,同時可用于**7”X 7”掩膜版清洗。

•干進(jìn)干出或濕進(jìn)干出。

集成了**的無損兆聲清洗技術(shù),同時支持去離子水沖洗、化學(xué)試劑清洗、PVA刷子刷洗、紅外燈烘干/氮?dú)獯祾咚Ω汕逑茨K。

配置4路化學(xué)容器罐,可支持4路化學(xué)清洗液進(jìn)行清洗。

兩種干燥模式:高速甩干與紅外烘干,可同時使用。

用戶可編程的清洗干燥工序,比如:

Cycle I:化學(xué)試劑清洗

Cycle II:去離子水沖洗

Cycle III:刷子刷洗

Cycle IV:兆聲去離子水清洗

Cycle V:旋轉(zhuǎn)甩干,氮?dú)獯祾呒凹t外燈烘干

每一套程序可以支持 20 個操作步驟。

•可以存儲多達(dá) 25 套產(chǎn)品程序。

•結(jié)構(gòu)緊湊,集成度高:把所有的清洗需要集成到一個緊湊的立柜中 ,旋轉(zhuǎn)清洗單元、兆聲脈沖射流清洗器、試劑容器以及所有的閥及傳感器 都全部包含到該系統(tǒng)。

•帶觸摸屏的PLC控制。

? 主要技術(shù)參數(shù)

Wafer尺寸

4,6,8,12寸片晶圓,可用于**7”X 7”掩膜版清洗

清洗模塊

去離子水沖洗、PVA刷子刷洗、化學(xué)試劑清洗、兆聲清洗

去離子水

1.5L/min,30PSI

PVA刷

刷子旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速:**400RPM

化學(xué)試劑清洗

4個4升容器罐用于裝稀釋的化學(xué)清洗液,通過N2施壓控制流量與容器罐裝卸。

兆聲清洗

頻率:1MHz功率:60W

干燥方式

旋轉(zhuǎn)甩干、氮?dú)獯祾摺⒓t外燈烘干

存儲recipe

*多25個,每1個recipe可以支持 20 個清洗步驟,而在每一個步驟中可以設(shè)定以下參數(shù): RPM 轉(zhuǎn)速 (維持的轉(zhuǎn)速 、 RAMP加速梯度(多快時間達(dá)到那個速度) 、 Dwell 運(yùn)行時間 (維持想要的速度的時間有多長)。

旋轉(zhuǎn)臺

轉(zhuǎn)速:0-2000RPM

加速度/減速度:<1-25.5秒(以0.1秒為增量)

每步驟旋轉(zhuǎn)維持時間

**到550秒(以0.1秒為增量)

每步驟(維持旋轉(zhuǎn))的試劑分布時間

1-540秒(以1秒為增量)

每步驟(變速階段)的試劑分布時間

1-25秒(以1秒為增量)

化學(xué)試劑分配速率

@15 PSI of N2, 83ccm (based on D.I.H2O)

@20PSI of N2, 133ccm (based on D.I.H2O)

控制器

PLC控制系統(tǒng),LCD觸控屏控制

儀器尺寸

28”*32”*54”

?應(yīng)用

Post CMP Wafer Cleaning

Patterned and Un-patterned Masks and Wafers

Ge, GaAs and InP Wafer Cleaning

Cleaning of Diced Chips on Wafer Frame

Cleaning after Plasma Etch or Photoresist

Stripping

Mask Blanks or Contact Mask Cleaning

Cleaning of X-ray and EUV Masks

Optical Lens Cleaning

Cleaning of ITO Coated Display Panels

Megasonic Assisted Lift-off Process

產(chǎn)品咨詢

NanoMaster SWC-4000型CMP后清洗機(jī)

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