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基礎型 HoF CVD

基礎研發型 HoF CVD

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江西漢可泛半導體技術有限公司

江西

產品規格型號

參考報價：

面議

品牌：

江西漢可

型號：

基礎研發型 HoF CVD

關注度：

755

產品介紹

該款產品，基于熱絲CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，簡稱HoF CVD）鍍膜，適用于高校、科研機構使用，或企業研發部門進行原理性驗證和技術開發。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機材料鍍膜等，可以相互替代。但因為鍍膜的原理不同，又具有不同的特點。簡要總結如下表所示：

	PECVD	HoFCVD
鍍膜質量	高，有等離子體損傷	更高，無等離子體損傷
鍍膜速度	較慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢）	較快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快）
設備造價	高（射頻電源、碳基載板，勻氣結構復雜）	低（直流電源、金屬載板、勻氣結構簡單）
運營成本	一般	較低
顆粒污染	鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa，易形成粉塵；需每天 NF3 等離子清洗	鍍膜氣壓幾 Pa，不易形成粉塵；可忽略該問題。
載板要求	一般碳基（石墨為主），載板是PE 放電的電極之一，參與放電，所以對其導電性等要求很高。	一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應，導電性無要求。
繞鍍問題	原理性問題，需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。	可忽略。對載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。
生產裝備結構	臥式：載板、硅片水平放置，自動化易于實現；粉塵顆粒易于粘附與硅片表面	立式：載板、硅片垂直放置，自動化難度高；粉塵不易與粘在硅片表面。
鍍膜均勻性	小面積高；但面積增大難度極高（因為等離子體的控制難度高，有駐波效應）。	小面積低；但面積增大容易（因為熱絲周期性排布）
設備普及程度	高。裝備、工藝技術人員充足豐富。	低。裝備、工藝人員少。

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基礎型 HoF CVD

基礎研發型 HoF CVD

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